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SGM25811 是一款专用的双路高压 MOSFET 驱动器,能够高效地驱动同步整流降压转换器中的两个 N 型 MOSFET。当与多相降压 PWM 控制器结合使用时,它可构成先进微处理器稳压器的核心部分。
该器件的特性还包括防直通保护功能,确保外部 MOSFET 中不会出现交叉传导,从而优化效率并最大程度地缩短死区时间。此外,它还集成了自举开关,无需其他外部元件。控制两个栅极驱动器的操作非常简单:只需将 EN 引脚拉低或将 PWM 引脚置于高阻状态,即可同时停用两个栅极驱动器,从而防止输出电容在系统关断时快速放电。值得注意的是,SGM25811 还具备输入欠压锁定功能。
SGM25811A 和 SGM25811B 采用绿色 TDFN-2×2-8L 封装。SGM25811C 采用绿色 TDFN-3×3-8BL 封装。SGM25811D 采用绿色 SOIC-8(裸露焊盘)封装。
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特性
- 适用于 HVMOS 驱动 (VGS = VIN = 12V)
- 单 PWM 信号控制双驱动器
- 集成同步降压驱动器解决方案
- 防直通保护电路
- 通过三态输入关断桥路
- 内置自举开关集成
- 通过 EN 控制关闭两个 MOSFET
- 利用 PWM 引脚进行多功能设置
- 电源输入欠压锁定
- SGM25811A 和 SGM25811B 采用绿色 TDFN-2×2-8L 封装
SGM25811C 采用绿色 TDFN-3×3-8BL 封装
SGM25811D 采用绿色 SOIC-8(裸露焊盘)封装
应用
台式机 CPU 核心电压调节器
高频低剖面 DC/DC 转换器
低电压高电流 DC/DC 转换器