SGM48209是一款半桥MOSFET驱动器,具备4A的峰值源和吸收输出电流能力,能够驱动大功率MOSFET,同时尽可能减少开关损耗。该驱动器的高侧和低侧通道是完全独立的,并且它们的开启和关闭延迟匹配精度达到3ns(典型值)。
SGM48209的输入级能够承受最大20V的电压。由于其输入级具备-10VDC的耐压能力,这款驱动器具有更强的鲁棒性,可以直接与脉冲变压器相连,无需额外使用整流二极管。得益于宽输入滞后特性,该器件能够接收模拟或数字PWM信号,并且具有出色的抗噪声性能。
该驱动器内部集成了额定电压为120V的自举二极管,这样可以节省外部二极管的使用,并减少PCB的尺寸。
高侧和低侧驱动器都集成了欠压锁定(UVLO)功能。如果相应的驱动电压低于设定的阈值,每个通道的输出将被强制设置为低电平。
SGM48209采用绿色SOIC-8封装。
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特性
- 宽工作范围:8V 至 17V
- 驱动两个半桥配置的 N-MOSFET
- 最大阻断电压:120V DC
- 集成内部自举二极管,节省成本
- 4A 峰值吸收和源电流
- 输入引脚的容差为 -10V 至 20V
- COMS/TTL 兼容输入
- 1000pF 负载时上升时间为 6.5ns(典型值),下降时间为 4.5ns(典型值)
- 传播延迟时间:31ns(典型值)
- 延迟匹配:3ns(典型值)
- 高端和低端驱动器均具有 UVLO 功能
- -40℃ 至 +140℃ 工作结温范围
- 采用绿色 SOIC-8 封装
应用
用于电信、数据通信、便携式存储等的 48V 或更低系统的电源转换器
半桥、全桥、推挽、同步降压和正向转换器
同步整流器
D 类音频放大器
