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高速单通道低侧驱动器 SGM48521 专为驱动 GaN 场效应晶体管(FET)和逻辑电平 MOSFET 而设计。其应用领域包括激光雷达(LiDAR)、飞行时间(ToF)、面部识别以及使用低侧驱动器的电源转换器。SGM48521 提供 7A 拉电流和 6A 灌电流的输出能力。分离输出配置可根据 FET 单独优化开启和关闭时间。其封装和引脚排列具有最小的寄生电感,能够缩短上升和下降时间并抑制振铃。此外,2.2ns 的传播延迟以及最小的公差和变化,使其能够在高频下高效运行。
该驱动器具备内部欠压锁定和过热保护功能,可防止过载和故障事件。
SGM48521 采用绿色 WLCSP-0.88×1.28-6B 和 TDFN-2×2-6AL 封装。
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特性
- 5V 电源电压
- 7A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流
- 适用于 GaN 和 Si FET 的超快速低侧栅极驱动器
- 最小输入脉冲宽度:1ns
- 最高工作频率:60MHz
- 传播延迟:2.2ns(典型值),3.6ns(最大值)
- 上升时间:
- WLCSP-0.88×1.28-6B:640ps(典型值)
- TDFN-2×2-6AL:620ps(典型值)
- 下降时间:
- WLCSP-0.88×1.28-6B:560ps(典型值)
- TDFN-2×2-6AL:610ps(典型值)
- 保护特性:
- 欠压锁定 (UVLO)
- 过温保护 (OTP)
- 绿色WLCSP-0.88×1.28-6B和TDFN-2×2-6AL封装
应用
激光测距系统
5G射频通信系统
无线充电系统
GaN DC/DC 转换系统