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- SGM48522Q
SGM48522Q 是一款高速双通道低边驱动器,专为驱动 GaN 场效应晶体管(FET)和逻辑电平 MOSFET 而设计。其应用领域包括激光雷达(LiDAR)、飞行时间(ToF)、人脸识别以及使用低边驱动器的电源转换器。SGM48522Q 提供 7A 拉电流和 6A 灌电流的输出能力。分离输出配置能够根据 FET 单独优化开启和关闭时间。其倒装芯片 TQFN 封装和引脚排列最大限度地减少了寄生电感,从而缩短了上升和下降时间,并抑制了振铃。此外,2ns 的传播延迟以及最小的公差和变化使其能够在高频下高效运行。
该驱动器还具备内部欠压锁定和过热保护功能,可防止过载和故障事件的发生。
该器件符合 AEC-Q100 标准 (Automotive Electronics Council (AEC) Standard Q100 Grade 1),适用于汽车应用。
SGM48522Q 采用绿色 TQFN-2×2-10AL 封装。
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特性
- 符合 AEC-Q100 汽车应用标准,器件温度等级 1
TA = -40℃ 至 +125℃ - 5V 电源电压
- 7A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流
- 适用于 GaN 和 Si FET 的超快速低侧栅极驱动器
- 最小输入脉冲宽度:1ns
- 工作频率高达 60MHz
- 传播延迟:2ns(典型值)
- 上升时间:720ps(典型值)
- 下降时间:570ps(典型值)
- 保护特性:
- 欠压锁定 (UVLO)
- 过温保护 (OTP)
- 采用绿色 TQFN-2×2-10AL 封装
应用
汽车应用
激光测距系统 (LiDAR)
5G 射频通信系统
无线充电系统
GaN DC/DC 转换系统