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- 氮化镓 (GaN) MOSFET
- SGMGB05340
SGMGB05340是硅基氮化镓E模式功率晶体管,其漏极-源极击穿电压和源极-漏极击穿电压均大于40V。
PRODUCT SUMMARY
RDSON & RSDON (TYP) VGS = 6V | RDSON & RSDON (MAX) VGS = 6V | ID & IS (MAX) TC = +25℃ |
---|---|---|
3.6mΩ | 4.8mΩ | 20A |
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特性
- E模式晶体管 - 常闭型功率开关
- 零反向恢复损耗
- 超高开关频率
- 符合RoHS标准且无卤素
应用
USB-C
负载开关
OVP保护开关