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- 氮化镓场效应晶体管(GaN FET)
- SGMGB09340
PRODUCT SUMMARY
| RDSON & RSDON (TYP) VGS = 5V | RDSON & RSDON (MAX) VGS = 5V | ID & IS (MAX) TC = +25℃ |
|---|---|---|
| 9mΩ | 12mΩ | 10A |
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特性
- 双向阻断能力
- 氮化镓硅基增强型高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术
- 超低导通电阻
- 符合 RoHS 标准且不含卤素
应用
高侧负载开关
智能手机 USB 端口的过压保护
多电源系统中的开关电路
订购信息
Part Number | Status | Package | Pins | Pd-Free | RoHS | REACH | Green | MSL Rating | Operating Temperature Range | Material Content | Reliability Report | Unit Resale Price* (Volume Range: in USD) | Lead Time** (Volume Range: Days) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SGMGB09340TG/TR | 量产 | WLCSP-1.2×1.7-12B | 12 | YES | YES | YES | YES | MSL1 | -40℃ to +150℃ | 查看 | 查看 | 1-24 units : $1.4/unit 25-99 units : $1.2/unit 100-249 units : $1/unit 250-499 units : $0.8/unit 500-999 units : $0.7/unit 1000-9999 units : $0.52/unit | 3K-9K : 42 days 10K-99K : 64 days 100K-999K : 84 days 1000K and above : 120 days |
* 价格仅供参考。请联系我们的经销商获取正式报价。
** 交货时间仅供参考，可能会根据不同情况而发生变化。
