- 首页
- 电源管理
- 氮化镓场效应晶体管(GaN FET)
- SGMGQ11410
PRODUCT SUMMARY
| RDSON (TYP) VGS = 5V | RDSON (MAX) VGS = 5V | ID (MAX) TC = +25℃ |
|---|---|---|
| 1.1mΩ | 1.5mΩ | 477A |
More
特性
- 氮化镓硅基增强型高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术
- 工业应用
- 极低栅极电荷
- 超低导通电阻
- 极小封装尺寸
- 符合 RoHS 标准且不含卤素
应用
高频直流/直流转换器
高密度直流/直流电源模块
同步整流器
电机驱动器
太阳能系统最大功率点跟踪器
